電源適配器半導體功率開關(guān)器件

在電源適配器半導體功率開關(guān)器件中,晶閘管( Thyristor,也可稱為可控硅SCR)是目前具有較高耐壓容量與較大電流容量的器件?其較大電流額定值為8000A,電壓額定值可達12kV?國外目前已能在100mm直徑的硅片上工業(yè)化生產(chǎn)8kV/4000A的晶閘管?此外,光控晶閘管的額定 值可達8kV/4000A,快速晶閘管的額定值為2kV/800A,較高頻率為20kHz?但晶閘管不能用門極控制其關(guān)斷,需要復雜的輔助換流關(guān)斷電路?因此,自20世紀80年代以來,一種通過門極控制其導通和關(guān)斷的晶閘管——門極關(guān)斷晶閘管GTO得到迅速發(fā)展?目前,日本三菱電機公司?瑞典ABB等多家廠商能在6英寸硅片上生產(chǎn)6kV/6kA?頻率為1kHz的GTO,研制水平已達8kV/8kA?但GTO仍然有著復雜的門極驅(qū)動電路?低耐量的di/dt和da/dt以及  小的安全工作區(qū)( Safe Operating Area-soa),在工作時需要一個龐大的吸收( Snubber)電路針對GTO的上述缺陷,在充分發(fā)揮GTO高壓大電流下單芯片工作和低導通損耗的基礎上開發(fā)研制三種MOS柵控制且具有硬關(guān)斷( Hard Switching)能力的新型大功率電源適配器半導體器件?

  一是瑞典ABB公司和日本三菱電機公司提出的集成柵換流晶閘管(ABB稱之為Integrated  Gate Commutated thyristor-igct,日本三菱電機稱之為Gate Commutated turn-off  thyristor-gct);二是美國硅功率公司( Silicon Power Corp-SPCO)提出的MOs關(guān)斷晶閘管( MOS Turn- off Thyristor-mto);三是由美國CPES黃勤教授提出的發(fā)射極關(guān)斷晶閘管(E mitter Turn- off Thyristor-eto)?它們在20世紀90年代相繼問世,其中前兩種已走向市場。

  大功率晶體管(GTR)是20世紀70年代發(fā)展起來的一種電流控制雙極型功率電源適配器半導體開關(guān)器件,常用的有單管?達林頓管和模塊三大系列,現(xiàn)有的水平為1800V/800A/2kHz?1400V/600A/5kHz和600V/3A/100kHz?GTR既具有雙極型晶體管的工作特性,又增大了功率容量,曾在開關(guān)電源中等頻率?中等功率容量的電路中廣泛應用?但由于存在雙極型晶體管固有的二次擊穿?安全工作區(qū)受各項參數(shù)影響而變化?熱容量小?過流能力低等缺點,GTR逐漸被功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)所取代?

  由于GTR?GTO等雙極型全控器件必須提供較大的控制電流,使門極控制電路非常龐大,功率變換系統(tǒng)的體積和重量增大,效率降低?隨著新型功率MOS器件的發(fā)展,MOS型功率器件及以其為基礎的新型壓控型功率器件在電力電子裝置中獲得了廣泛應用?功率MOSFET?絕緣柵雙極晶體管等均是電壓控制型器件?可用一些專用的高壓集成電路進行控制,甚至可以把功率器件和控制?自保護電路等做在一個芯片上,大大促進了高壓集成電路和智能功率集成電路(SPIC)的發(fā)展,使電力電子技術(shù)產(chǎn)生了新的飛躍,促進了電力電子系統(tǒng)向智能化小型化和高性能方向發(fā)展

  多子導電的功率MOSFET顯著地減小了開關(guān)時間?因而很容易達到100kHz的開關(guān)頻率,沖破了電力電子系統(tǒng)中20kHz這一長期被認為是不可逾越的障礙?商品化的功率MOSFET已達到60V/200A/2MHIz和500V/50A/100kHz的水平?功率MOSFET是低壓(<100V)范圍內(nèi)較好的功率開關(guān)器件?但在高壓應用時,其較大缺點是導通電阻隨耐壓的2.5次方急劇上升,給高壓功率MOSFET的應用帶來了很大困難?近幾年,人們?yōu)樘岣咂淠蛪航档推鋵娮柽M行了大量研究,利用SPACER技術(shù)研制的小單元尺寸第五代功率MOSFET和槽柵(TMOS?RMOS?UMOS)功率MOSFET均工業(yè)化生產(chǎn),IR公司生產(chǎn)的功率MOSFET元胞密度已到達每平方寸1.12億個,IRF1704的較高工作溫度已高達200℃?目前,功率MOSFET的研制水平為1000V/65A,模塊為600V/160A?在功率MOSFET領域一種基于陳星弼院士專利,打破了傳統(tǒng)功率MOSFET理論極限,被國際上盛譽為功率MOSFET領域里程碑的新型功率MOSFET-CO(IMOS于1998年問世并很快走向市場?COOIMOS由于采用新的耐壓層(CB)結(jié)構(gòu)(又稱為Super Junction結(jié)構(gòu)或者稱為Mult- Resurf結(jié)構(gòu)),在幾乎保持功率MOSFET所有優(yōu)點的同時,又有著極低的導通損耗?但受工藝限制目前,市場上COOIMOS產(chǎn)品較大功率容量只有1000V/20A?人們相信,隨著COOIMOS功率容量的增加,高頻?高壓?大電流功率電源適配器半導體開關(guān)器件的實現(xiàn),必將給電力電子產(chǎn)品帶來一場新的變革?

     IGBT既有功率MOSFET高輸入阻抗?快速開啟?驅(qū)動電路簡單和所需驅(qū)動功率小等優(yōu)點,又具有功率晶體管漂移區(qū)電導調(diào)制?導通損耗低的特點,且較功率MOSFET有著更大的電流密度?更高密度功率容量和較功率晶體管更高的開關(guān)頻率?更寬的安全工作區(qū)?這些優(yōu)勢使IGBT在600V以上中等電壓范圍內(nèi)成為主流的功率器件,且正逐漸向高壓大電流領域發(fā)展?在器件研究方面,研究人員著重對IGBT正向?qū)〞r漂移區(qū)少數(shù)載流子濃度與分布控制的所謂“集電極工程”與IGBT壓接式封裝方面進行研究?在高壓IGBT的器件研究中,一種具有類似功率PIN二極管漂移區(qū)濃度分布的注入增強型IGBT-IEGT已研制成功?IEGT通過發(fā)射極側(cè)的注入增強(IE)效應,大大降低了高壓IGBT的導通損耗,通過局域壽命控制技術(shù)或(和)透明集電極技術(shù),控制集電極側(cè)的載流子濃度,減弱了IGBT關(guān)斷電流尾?

     IGBT的未來發(fā)展趨勢有兩個方向:一個是超大功率IGBT模塊;另一個是超快速IGBT?由于IGBT較功率MO)SFET有著更大的電流密度(同等輸出功率的IGBT與功率MOS相比,前者的芯片面積只有后者的40%),且IGBT內(nèi)部沒有寄生的反向二極管,這使得IGBT的效率更高?應用更靈活?在中等電壓(370~600V)范圍內(nèi),IGBT已應用到了150~180kHz的頻率范圍(如美國INTERSIL公司的SMPS IGBT系列和IR公司的WARP SPEED TM IOBT系列)寬禁帶電源適配器半導體器件,特別是SIC電源適配器半導體器件被視為下一代的電源適配器半導體功率器件,各種SC功率開關(guān)器件(如MOSFET?MESFET?IGBT?SIT?GTO?BJT等)相繼研制成功?雖然近幾年SC功率開關(guān)器件取得了長足進步,但離大規(guī)模商業(yè)化仍還有一段距離?表2-1為SC功率開關(guān)器件的較高水平?SiC功率開關(guān)器件較高水平